Yarımkeçirici elementlərin element bazası durmadan artır. Bu sahədəki hər bir yeni ixtira, əslində, elektron sistemlərin bütün ideyasını dəyişdirir. Dövrələrin dizayn imkanları dəyişir, onlara əsaslanan yeni qurğular yaranır. İlk tranzistorun ixtirasından (1948) çox vaxt keçdi. "p-n-p" və "n-p-n" strukturları, bipolyar tranzistorlar icad edilmişdir. Zamanla, elektrik sahəsinin təsiri altında səthə yaxın yarımkeçirici təbəqənin elektrik keçiriciliyini dəyişdirmək prinsipi ilə işləyən MIS tranzistoru da meydana çıxdı. Beləliklə, bu elementin başqa adı sahədir.
MIS (metal-dielektrik-yarımkeçirici) abbreviaturasının özü bu cihazın daxili quruluşunu xarakterizə edir. Həqiqətən, onun qapısı drenajdan və qaynaqdan nazik bir keçirici olmayan təbəqə ilə təcrid olunur. Müasir MIS tranzistorunun qapı uzunluğu 0,6 µm-dir. Oradan yalnız elektromaqnit sahəsi keçə bilər - bu, yarımkeçiricinin elektrik vəziyyətinə təsir edir.
Gəlin FET-in necə işlədiyinə baxaq və onun əsas fərqinin nə olduğunu öyrənəkbipolyar "qardaş". Tələb olunan potensial görünəndə onun qapısında elektromaqnit sahəsi görünür. Drenaj-mənbə qovşağının müqavimətinə təsir göstərir. Bu cihazdan istifadənin bəzi üstünlükləri bunlardır.
- Açıq vəziyyətdə, drenaj mənbəyinə keçid müqaviməti çox kiçikdir və MIS tranzistoru elektron açar kimi uğurla istifadə olunur. Məsələn, o, yükü manevr etməklə əməliyyat gücləndiricisini idarə edə və ya məntiq dövrələrində iştirak edə bilər.
- Həmçinin cihazın yüksək giriş empedansı diqqətəlayiqdir. Bu parametr aşağı cərəyan sxemlərində işləyərkən olduqca aktualdır.
- Drenaj mənbəyi qovşağının aşağı tutumu MIS tranzistorunu yüksək tezlikli cihazlarda istifadə etməyə imkan verir. Proses zamanı siqnal ötürülməsində heç bir təhrif yoxdur.
- Elementlərin istehsalında yeni texnologiyaların inkişafı sahə və bipolyar elementlərin müsbət keyfiyyətlərini birləşdirən IGBT tranzistorlarının yaradılmasına səbəb olmuşdur. Onlara əsaslanan güc modulları yumşaq başlanğıclarda və tezlik çeviricilərində geniş istifadə olunur.
Bu elementləri layihələndirərkən və işləyərkən nəzərə almaq lazımdır ki, MIS tranzistorları dövrədə həddindən artıq gərginliyə və statik elektrikə çox həssasdır. Yəni idarəetmə terminallarına toxunarkən cihaz uğursuz ola bilər. Quraşdırarkən və ya sökərkən xüsusi torpaqlamadan istifadə edin.
Bu cihazdan istifadə perspektivləri çox yaxşıdır. sayəsindəözünəməxsus xüsusiyyətlərinə görə müxtəlif elektron avadanlıqlarda geniş tətbiq tapmışdır. Müasir elektronikada innovativ tendensiya induksiya sxemləri də daxil olmaqla müxtəlif sxemlərdə işləmək üçün güc IGBT modullarının istifadəsidir.
Onların istehsal texnologiyası daim təkmilləşdirilir. Kepenk uzunluğunu ölçmək (az altmaq) üçün inkişaflar davam edir. Bu, cihazın onsuz da yaxşı olan performansını yaxşılaşdıracaq.
